Carboneto de Silício (SiC)
O carboneto de silício (SiC) é um material semicondutor de terceira{0}}geração-de banda larga, caracterizado por seu alto campo elétrico de ruptura, alta condutividade térmica, alta velocidade de deriva de saturação de elétrons e excelente estabilidade química e térmica. É amplamente utilizado em eletrônica de potência, dispositivos de RF, veículos elétricos, comunicação 5G, fontes de alimentação industriais, aeroespacial e outros campos. Sua natureza dura e frágil torna a usinagem de precisão uma etapa crítica na fabricação de dispositivos de alto-desempenho.
A Hemei Company possui profundo conhecimento técnico na usinagem de precisão de materiais duros e quebradiços. Desenvolvemos um processo eficiente e estável de polimento e planarização especificamente para materiais de SiC. Esse processo permite usinagem totalmente controlável, desde a preparação do substrato até o acabamento superficial-no nível do dispositivo, atendendo aos rigorosos requisitos de qualidade de superfície para SiC em aplicações-de alta tecnologia, como módulos de potência e dispositivos de RF de micro-ondas.
Requisitos de aplicação
Os objetivos do polimento e tratamento superficial de materiais SiC incluem:
Reduzindo a rugosidade superficial (Ra) para <0,5 nm.
Alcançar planicidade superficial (TTV) Menor ou igual a 1 μm, sendo a planicidade local (LTV) superior a este valor.
Produzindo superfícies livres de arranhões, micro{0}}fissuras e danos-subficiais para atender aos requisitos de desempenho elétrico-do dispositivo.
Compatibilidade com vários politipos, como 4H-SiC e 6H-SiC, suportando processamento de wafer de diâmetros de 4 a 8 polegadas.
Para atingir essas metas, o processo da Hemei emprega sistemas de colagem personalizados e procedimentos de polimento em várias-etapas, garantindo precisão geométrica e integridade da superfície durante o processamento.
Especificações do sistema
Os sistemas modulares de polimento da Hemei suportam o processamento de wafers/cristais de SiC de vários tamanhos e formatos. Os sistemas principais incluem:
Equipamento de lapidação da série HSM-L/LP: usado para remoção inicial de material e controle de espessura.
Sistemas de polimento químico-mecânico da série HSM-CMP: usados para obter superfícies ultra-lisas e livres de danos-.
Subsistemas principais:
Unidade de ligação específica de wafer/cristal-(WB).
Acessórios de polimento de precisão da série SJ/ASJ.
C-ASJ Drive Head High{1}}sistema de polimento de velocidade.
Fluxo do Processo
Colagem e montagem: A amostra de SiC é temporariamente ligada a uma placa de suporte usando a unidade de colagem WB e depois montada no acessório de polimento.
Polimento Áspero e Intermediário: A retificação controlada é realizada no equipamento HSM-L para remover a camada-afetada pelo processo.
Polimento Fino: O polimento final é realizado usando o sistema HSM-CMP. Parâmetros como pressão, velocidade de rotação e taxa de fluxo de lama são ajustados em tempo-real para atingir suavidade de superfície-de nível nano.
Resultados típicos
Rugosidade superficial Ra < 0,5 nm.
Variação de Espessura Total (TTV) Menor ou igual a 1 μm, Variação de Espessura Local (LTV) Menor ou igual a 0,3 μm.
Taxa de remoção de material: 0.5 - 2 μm/min (ajustável).
Adequado para wafers de SiC com diâmetros menores ou iguais a 8 polegadas, suportando politipos comuns como 4H/6H-SiC.
Resumo
A Hemei Company fornece uma solução completa e confiável de polimento e planarização para materiais de carboneto de silício. Essa solução oferece consistentemente qualidade de superfície de-nível nano e alto desempenho elétrico, apoiando assim a industrialização e o aprimoramento do desempenho de dispositivos para SiC em campos-de alta tecnologia, como eletrônica de potência, comunicação de RF e novos veículos de energia.
